| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые | 30.06.1974 | действует |
Название англ.: Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices Область применения: Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности Нормативные ссылки:  ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы, СТ СЭВ 661-88, ГОСТ 2.721-74 |
| ГОСТ 4.137-85 Система показателей качества продукции. Приборы полупроводниковые силовые. Номенклатура показателей | 01.01.1987 | действует |
| Название англ.: Product-quality index system. Power semiconductor devices. Nomenclature of indices Область применения: Стандарт устанавливает номенклатуру показателей качества силовых полупроводниковых приборов, включаемых в стандарты с перспективными требованиями, технические задания на опытно-конструкторские работы (ТЗ на ОКР), технические условия (ТУ), карты технического уровня и качества продукции (КУ), разрабатываемые и пересматриваемые стандарты на продукцию Нормативные ссылки: ГОСТ 20003-74, ГОСТ 20332-84, ГОСТ 20859.1-79, ГОСТ 25529-82, ГОСТ 23900-79, ГОСТ 27002-83;СТ СЭВ 1125-78 |
| ГОСТ 11630-84 Приборы полупроводниковые. Общие технические условия | 30.06.1985 | действует |
| Название англ.: Semiconductor devices. General specification Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы, излучающие диоды и оптопары производственно-технического назначения и народного потребления, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта Нормативные ссылки: ГОСТ 11630-70, СТ СЭВ 3992-83, СТ СЭВ 300-76 |
| ГОСТ 14343-69 Диоды полупроводниковые типов Д223, Д223А, Д223Б для устройств широкого применения | 01.01.1970 | отменён |
| Название англ.: Semiconductors diodes types of Д 223, Д 223a, Д 223Б for widely used devices Нормативные ссылки: ГОСТ 18696.3-73, ГОСТ 18696.1-73, ГОСТ 11630-70, ГОСТ 16962-71, ГОСТ 1499-70, ГОСТ 10863-70 |
| ГОСТ 14949-69 Транзисторы типов МП111, МП 111А, МП111Б, МП112, МП113, МП113А для устройств широкого применения | 01.01.1970 | отменён |
| Название англ.: Transistors of mП111, mП111a, mП111, mП112, mП113, mП113a types for widely used devices Нормативные ссылки: ГОСТ 10870-68, ГОСТ 10864-68, ГОСТ 10867-68, ГОСТ 10871-68, ГОСТ 10869-68, ГОСТ 11630-70, ГОСТ 10863-70 |
| ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения | 30.06.1978 | утратил силу в РФ |
| Название англ.: Semiconductor devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности Нормативные ссылки: ГОСТ 15133-69, СТ СЭВ 2767-85, ГОСТ Р 57436-2017, ГОСТ 21934-83, ГОСТ 25066-81 |
| ГОСТ 15172-70 Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров | 30.06.1970 | действует |
| Название англ.: Transistors. List of basic and reference electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров |
| ГОСТ 15606-70 Диоды туннельные типов АИ301А, АИ301Б, АИ301В, АИ301 Г для устройств широкого применения | 01.01.1971 | отменён |
| Название англ.: Tunnel diodes. Types aИ301a, aИ301, aИ301b, aИ301Г for widely used devices Нормативные ссылки: ГОСТ 11630-70, ГОСТ 10863-70 |
| ГОСТ 16947-71 Транзисторы типа ГТ701А для устройств широкого применения | 30.06.1972 | отменён |
| Название англ.: Transistors type Гt701a for wide using equipment Нормативные ссылки: ГОСТ 16200-70, ГОСТ 10864-68, ГОСТ 11541-69, ГОСТ 11630-70, ГОСТ 16199-70, ГОСТ 1499-70, ГОСТ 10863-70 |
| ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки) Нормативные ссылки: ГОСТ 16963-71, ГОСТ 17465-72 в части пп. 1 - 12, 16 - 22, ГОСТ 16962-71 |
| ГОСТ 17466-80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 17466-72 |
| ГОСТ 17704-72 Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений | 30.06.1973 | действует |
| Название англ.: Semiconductor devices. Photoelectric receivers of radiant energy. Classification and system designations Область применения: Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с p-n переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления |
| ГОСТ 17772-88 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик | 30.06.1989 | утратил силу в РФ |
| Название англ.: Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Methods of measuring photoelectric parameters and determining characteristics Область применения: Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения (ФЭПП) и фотоприемные устройства (ФПУ) на их основе, чувствительные к излучению в диапазоне длин волн от 0,2 до 100 мкм. Стандарт не распространяется на ФЭПП и ФПУ, подлежащие аттестации в качестве средств измерений. Стандарт устанавливает методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик Нормативные ссылки: ГОСТ 17772-79, СТ СЭВ 3789-82, ГОСТ Р 59607-2021, ГОСТ 8.001-80, ГОСТ 8.023-86, ГОСТ 8.186-83, ГОСТ 8.198-85, ГОСТ 8.207-76, ГОСТ 8.326-78, ГОСТ 8.383-80, ГОСТ 8.513-84, ГОСТ 12.0.004-79, ГОСТ 12.1.019-79, ГОСТ 12.1.030-81, ГОСТ 12.1.031-81, ГОСТ 12.2.007.0-75, ГОСТ 12.2.007.1-75, ГОСТ 12.2.007.2-75, ГОСТ 12.2.007.3-75, ГОСТ 12.2.007.4-75, ГОСТ 12.2.007.5-75, ГОСТ 12.2.007.6-75, ГОСТ 12.2.007.7-75, ГОСТ 12.2.007.8-75, ГОСТ 12.2.007.9-75, ГОСТ 12.2.007.10-75, ГОСТ 12.2.007.11-75, ГОСТ 12.2.007.12-75, ГОСТ 12.2.007.13-75, ГОСТ 12.2.007.14-75, ГОСТ 12.2.032-78, ГОСТ 12.2.033-78, ГОСТ 12.3.002-75, ГОСТ 12.4.013-85, ГОСТ 3044-84, ГОСТ 3789-82, ГОСТ 9293-74, ГОСТ 17616-82, ГОСТ 18986.4-73 |
| ГОСТ 18472-88 Приборы полупроводниковые. Основные размеры | 30.06.1989 | утратил силу в РФ |
| Название англ.: Semiconductor devices. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры. Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы Нормативные ссылки: ГОСТ 18472-82, СТ СЭВ 1818-86, ГОСТ Р 57439-2017, IEC 60191-1(1966), IEC 60191-2(1966) |
| ГОСТ 18577-80 Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения | 30.06.1981 | действует |
| Название англ.: Thermoelectric semiconductor devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств. Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ 18577-73 |
| ГОСТ 18604.0-83 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров | 30.06.1984 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.0-74, СТ СЭВ 1622-79, ГОСТ 8.010-72, ГОСТ 12.1.030-81, ГОСТ 12.3.019-80, ГОСТ 22261-82 |
| ГОСТ 18604.1-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.1-73, СТ СЭВ 3993-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.2-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.2-73, СТ СЭВ 4283-83, IEC 147-2;ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.3-80 Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов: с использованием резистивно-емкостного делителя; с использованием моста. Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности. Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.3-73, СТ СЭВ 3999-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.4-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора | 30.09.1976 | действует |
| Название англ.: Transistors. Method for measuring collector reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ 10864-68, СТ СЭВ 3998-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.5-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Transistors. Method for measuring collector-emitter reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером; при заданном обратном напряжении эмиттер-база) свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ 10865-68, ГОСТ 10866-68, СТ СЭВ 3998-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.6-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Transistors. Method for measuring emitter reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока эмиттера (ток через переход эмиттер-база при заданном обратном напряжении на эмиттере и при разомкнутой цепи коллектора) свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ 10867-68, СТ СЭВ 3998-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.7-74 Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Transistors. Method for measuring current transfer coefficient Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения коэффициента передачи тока (отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току) Нормативные ссылки: ГОСТ 10870-68, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.8-74 Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Transistors. Method for measuring output conductivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные низкочастотные транзисторы малой и средней мощности и устанавливает метод измерения выходной проводимости (отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току в схеме с общей базой) Нормативные ссылки: ГОСТ 10871-68, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.9-82 Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока | 01.01.1984 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for determining cut-off frequency and transition frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы определения предельной и граничной частот коэффициента передачи тока Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.9-75, ГОСТ 18604.12-77, ГОСТ 18604.25-81, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.10-76 Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления | 01.01.1978 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Input resistance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11 Нормативные ссылки: ГОСТ 10868-68, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.11-88 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах | 01.01.1990 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Method of measuring noise figure at high and ultra-high frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума Кш на высоких и сверхвысоких частотах в диапазоне частот 1х10 в ст. минус 4 до 12,0 ГГц Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.11-76, СТ СЭВ 3996-83, IEC 60147-2;ГОСТ 8.037-81, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.13-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора | 30.06.1978 | действует |
| Название англ.: Bipolar microwave oscillator transistors. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает методы: измерения выходной мощности и определение коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением; измерения выходной мощности и определение коэффициента полезного действия коллектора в схеме автогенератора Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.14-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте | 30.06.1978 | действует |
| Название англ.: Bipolar microwave oscillator transistors. Techniques for measuring coefficient modulus of inverse transmission of voltage in the circuit with general base at high frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте Нормативные ссылки: IEC 60147-2C;ГОСТ 18604.0-83, ГОСТ 18604.1-80 |
| ГОСТ 18604.15-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока | 30.06.1978 | действует |
| Название англ.: Bipolar microwave oscillator transistors. Techniques for measuring critical current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения критического тока при измерении модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте и фазы коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на высокой частоте Нормативные ссылки: IEC 60147-2C;ГОСТ 18604.0-83, ГОСТ 18604.9-82 |
| ГОСТ 18604.16-78 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала | 30.06.1979 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Method of measurement of voltage feedback ratio in low signal conditionals Область применения: Настоящий стандарт распространяется на транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала Нормативные ссылки: ГОСТ 10869-68, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.19-88 Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения | 30.06.1989 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors . Method of measuring threshold voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.19-78, IEC 60147-2(1963);ГОСТ 18604.0-83 |
- иконка документа;
- загрузка документа.
- развернуть список;
- свернуть список.
- действующий;
- принят (но не вступивший в силу), действует только в РФ, с неизвестным статусом;
- заменён, отменён, утратил силу в РФ, срок действия истёк.