| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 19138.1-85 Тиристоры. Метод измерения напряжения переключения | 01.01.1987 | действует |
Название англ.: Thyristors. Method for measuring switching voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на тиристоры и устанавливает метод измерения напряжения переключения. Стандарт не распространяется на силовые тиристоры Нормативные ссылки:  ГОСТ 19138.1-73, IEC 60747-6;ГОСТ 19138.0-85 |
| ГОСТ 19138.2-85 Тиристоры триодные. Метод измерения отпирающего постоянного и импульсного тока управления и отпирающего постоянного и импульсного напряжения управления | 01.01.1987 | действует |
| Название англ.: Triode thyristors. Method for measuring trigger direct and peak gate current and trigger direct and peak gate voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные тиристоры и устанавливает метод измерения отпирающего постоянного и импульсного тока управления и отпирающего постоянного и импульсного напряжения управления Стандарт не распространяется на силовые тиристоры Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.2-73, ГОСТ 19138.11-75, IEC 60747-6;ГОСТ 19138.0-85 |
| ГОСТ 19138.3-85 Тиристоры триодные. Метод измерения времени выключения | 01.01.1987 | действует |
| Название англ.: Triode thyristors. Method for measuring turn-off time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные тиристоры и устанавливает метод измерения времени выключения. Стандарт не распространяется на силовые тиристоры Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.3-73, IEC 60747-6;ГОСТ 19138.0-85 |
| ГОСТ 19138.4-73 Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки | 30.06.1975 | действует |
| Название англ.: Thyristors. Method for measuring turn-on, rise and delay times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на диодные тиристоры малой и средней мощности с максимально допустимым постоянным током в открытом состоянии не более 10 А и устанавливает метод измерения времени включения, нарастания и задержки Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.0-85 |
| ГОСТ 19138.5-85 Тиристоры триодные. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки | 01.01.1987 | действует |
| Название англ.: Triode thyristors. Method for measuring turn-on, rise and delay time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные тиристоры и устанавливает метод измерения времени включения, нарастания и задержки. Стандарт не распространяется на силовые тиристоры Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.5-74, IEC 60747-6;ГОСТ 19138.0-85 |
| ГОСТ 19138.6-86 Тиристоры. Методы измерения электрических параметров | 30.06.1987 | действует |
| Название англ.: Thyristors. Methods for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на тиристоры и устанавливает методы измерения: критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии; тока удержания и тока включения; постоянного и повторяющегося импульсного тока в закрытом состоянии, постоянного и повторяющегося импульсного обратного тока; постоянного и импульсного напряжения в открытом состоянии; неотпирающего постоянного и импульсного напряжения управления триодных тиристоров. Стандарт не распространяется на силовые тиристоры Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.6-74, ГОСТ 19138.8-75, ГОСТ 19138.9-75, ГОСТ 19138.10-75, IEC 60747-6;ГОСТ 19138.0-85 |
| ГОСТ 19138.7-74 Тиристоры. Метод измерения импульсного запирающего тока управления, импульсного запирающего напряжения управления, импульсного коэффициента запирания | 30.06.1975 | действует |
| Название англ.: Thyristors. Measurement method of peak gate turn-off current, peak gate turn-off voltage, peak turn-off coefficient Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные запираемые тиристоры малой и средней мощности с максимально допустимым постоянным током в открытом состоянии не более 10 А и устанавливает метод измерения импульсного запирающего тока управления импульсного запирающего напряжения управления тиристора и импульсного коэффициента запирания Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.0-85 |
| ГОСТ 19656.0-74 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения | 30.06.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of electrical parameters. General conditions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает общие положения при измерениях электрических параметров на сверхвысоких частотах Нормативные ссылки: СТ СЭВ 1622-79, СТ СЭВ 3408-81, ГОСТ 10863-70, ГОСТ 11294-74 |
| ГОСТ 19656.1-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению | 30.06.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor UHF mixer and detector diodes. Measurement method of voltage standing-wave ratio Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и детекторные и устанавливает метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3408-81, ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 19656.2-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения выпрямленного тока | 30.06.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement method of rectified current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые смесительные диоды СВЧ и устанавливает метод измерения выпрямленного тока в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3408-81, IEC 60147-2K;ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 19656.3-74 Диоды полупрводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте | 30.06.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of output impedance at an intermediate frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц следующие методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте: метод сравнения; метод импедансного моста Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3408-81, IEC 60147-2K;ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 19656.4-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования | 30.06.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of conversion losses Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц методы измерения потерь преобразования: дифференциальный матод; метод амплитудной модуляции. Методы измерений потерь преобразований в диапазоне частот от 78,3 до 300 ГГц следует устанавливать в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3408-81, IEC 60147-2K;ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 19656.5-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения шумового отношения | 30.06.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor UHF mixer and detector diodes. Measurement methods of output noise ratio Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и детекторные и устанавливает 2 метода измерения шумового отношения при возбуждении диода: СВЧ мощностью (в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц); постоянным током Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3997-83, IEC 60147-2K;ГОСТ 18986.14-75, ГОСТ 19656.0-74, ГОСТ 19656.3-74, ГОСТ 19656.8-74 |
| ГОСТ 19656.6-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированного коэффициента шума | 30.06.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of standard overall noise figure Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые смесительные диоды СВЧ и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц два метода измерения нормированного коэффициента шума Fнорм: метод шумового генератора; метод определения Fнорм по измененным значениям потерь преобразования и шумового отношения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3997-83, IEC 60147-2K;ГОСТ 19656.0-74, ГОСТ 19656.4-74, ГОСТ 19656.5-74 |
| ГОСТ 19656.7-74 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току | 30.06.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor UHF detector diodes. Measurement method of current sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ детекторные и устанавливает метод измерения чувствительности по току бета в рабочей точке в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3408-81, ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты | 01.01.1981 | действует |
| Название англ.: Semiconductor microwave varactors and multiplier diodes. Methods of measuring time constant and limiting frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные диоды и устанавливает следующие методы измерения постоянной времени и предельной частоты: метод четырехполюсника; метод последовательного резонанса диода; резонаторный метод. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты диода учитывают потери в измерительной диодной камере Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.9-74, ГОСТ 16423-78, ГОСТ 18986.4-73, ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь | 30.06.1989 | действует |
| Название англ.: Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц: 1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов; 2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов: а) метод измерительной линии с подвижным зондом; б) метод измерительной линии с фиксированным зондом; в) резонаторный метод Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.10-75, ГОСТ 19656.11-75, ГОСТ 18986.4-73, ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 19656.12-76 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления | 30.06.1977 | действует |
| Название англ.: Semicondactor UHF mixer diodes. Measurement method of input impedance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на смесительные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения полного входного сопротивления Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74, ГОСТ 19656.1-74 |
| ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | 01.01.1979 | действует |
| Название англ.: Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.14-85, ГОСТ 19656.0-74, ГОСТ 19656.5-74, ГОСТ 19656.7-74 |
| ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты | 01.01.1981 | действует |
| Название англ.: Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74, ГОСТ 18986.4-73, ГОСТ 19656.0-74, ГОСТ 19656.11-75 |
| ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления | 01.01.1986 | действует |
| Название англ.: Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | 30.06.1987 | действует |
| Название англ.: Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74, ГОСТ 23769-79 |
| ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | 30.06.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей Нормативные ссылки: ГОСТ 8.023-86, ГОСТ 12.0.004-79, ГОСТ 12.1.004-85, ГОСТ 12.1.030-81, ГОСТ 12.2.007.0-75, ГОСТ 12.3.019-80, ГОСТ 20.57.406-81, ГОСТ 10863-70, ГОСТ 18986.1-73, ГОСТ 18986.2-73, ГОСТ 18986.3-73 |
| ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;метод замещения;методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75 |
| ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | 30.06.1977 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 8.023-86, ГОСТ 19834.0-75;МИ 1685-87 |
| ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 30.06.1981 | действует |
| Название англ.: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 9411-91, ГОСТ 17616-82, ГОСТ 19834.0-75 |
| ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75 |
| ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 30.06.1975 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов. Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок Нормативные ссылки: СТ СЭВ 2770-80 |
| ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | 01.01.1986 | действует |
| Название англ.: Semiconductor microwave diodes. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды Нормативные ссылки: ГОСТ 20215-74, ГОСТ 8.051-81, ГОСТ 9.076-77, ГОСТ 20.57.406-81, ГОСТ 14192-77, ГОСТ 15150-69, ГОСТ 17465-80, ГОСТ 18472-82, ГОСТ 19656.0-74, ГОСТ 19656.1-74, ГОСТ 19656.2-74, ГОСТ 19656.3-74, ГОСТ 19656.4-74, ГОСТ 19656.5-74, ГОСТ 19656.6-74, ГОСТ 19656.7-74, ГОСТ 19656.9-79, ГОСТ 19656.10-75, ГОСТ 19656.11-75, ГОСТ 19656.12-76, ГОСТ 19656.13-76, ГОСТ 19656.14-79, ГОСТ 21493-76, ГОСТ 23088-80, ГОСТ 23135-78, ГОСТ 24385-80, ГОСТ 25359-82, ГОСТ 25360-82, ГОСТ 25467-82, ГОСТ 25486-82 |
| ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 30.06.1985 | действует |
| Название англ.: Thyristors. Terms, definitions and letter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров тиристоров. Термины и буквенные обозначения, русские и (или) международные, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ 20332-74, СТ СЭВ 5395-85 |
| ГОСТ 20398.0-83 Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров | 30.06.1984 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74, СТ СЭВ 1622-79, ГОСТ 12.1.030-81, ГОСТ 12.3.019-80, ГОСТ 22261-82 |
| ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи | 30.06.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74 |
- иконка документа;
- загрузка документа.
- развернуть список;
- свернуть список.
- действующий;
- принят (но не вступивший в силу), действует только в РФ, с неизвестным статусом;
- заменён, отменён, утратил силу в РФ, срок действия истёк.