Электронная база ГОСТов
1000gost.ru
Государственные стандарты
Декларация о соответствии
Единый перечень продукции ТС
Классификатор государственных стандартов
Общероссийский классификатор стандартов
Авиационная и космическая техника
Бытовая техника и торговое оборудование. Отдых. Спорт
Военная техника
Гидравлические и пневматические системы и компоненты общего назначения
Горное дело и полезные ископаемые
Гражданское строительство
Добыча и переработка нефти, газа и смежные производства
Дорожно-транспортная техника
Железнодорожная техника
Здравоохранение
Информационные технологии. Машины конторские
Испытания
Лакокрасочная промышленность
Математика. Естественные науки
Машиностроение
Металлургия
Метрология и измерения. Физические явления
Механические системы и устройства общего назначения
Общие положения. Терминология. Стандартизация. Документация
Охрана окружающей среды, защита человека от воздействия окружающей среды. Безопасность
Подъемно-транспортное оборудование
Производство пищевых продуктов
Резиновая, резинотехническая, асбесто-техничекая и пластмассовая промышленность
Сельское хозяйство
Стекольная и керамическая промышленность
Строительные материалы и строительство
Судостроение и морские сооружения
Текстильное и кожевенное производство
Телекоммуникации.аудио-и видеотехника
Технология переработка древесины
Технология получения изображений
Точная механика. Ювелирное дело
Упаковка и размещение грузов
Услуги. Организация фирм, управление и качество. Администрация. Транспорт. Социология.
Химическая промышленность
Целлюлозно-бумажная промышленность
Швейная промышленность
Электроника
Интегральные схемы. Микроэлектроника
Конденсаторы
Механические конструкции электронного оборудования
Оптоэлектроника. Лазерное оборудование
Печатные схемы и платы
Полупроводниковые приборы
Диоды
Полупроводниковые приборы в целом
Полупроводниковые приборы прочие
Тиристоры
Транзисторы
Пьезоэлектрические и диэлектрические приборы
Резисторы
Электрические фильтры
Электромеханические компоненты электронного оборудования и телекоммуникационного оборудования
Электронные дисплеи
Электронные компоненты в сборе
Электронные компоненты в целом
Электронные лампы
Электротехника
Энергетика и теплотехника
Обязательная сертификация
Окп
Тематические сборники
Технические регламенты РФ
Технические регламенты Таможенного союза
Строительная документация
Техническая документация
Условные обозначения
Иконки:
- иконка документа;
- документ в формате PDF;
- версия для печати;
- найти документ;
- загрузка документа.
Навигация:
- развернуть список;
- свернуть список.
Статусы ГОСТов:
- действующий;
- принят (но не вступивший в силу), действует только в РФ, с неизвестным статусом;
- заменён, отменён, утратил силу в РФ, срок действия истёк.
На главную
Перейти в начало базы ГОСТов
Перейти в начало базы Строительной документации
Перейти в начало базы Технической документации
Найти:
Где:
В описании
В номере документа
В названии документа
Отображать:
Все найденные
Действующие
Заменённые
Отменённые
Принятые (но не вступившие в силу)
Утратившие силу в РФ
С истекшим сроком действия
Действующие только в РФ
С неизвестным статусом
Упорядочить:
По номеру стандарта
По дате введения
Библиотека государственных стандартов
Дата актуализации: 01.01.2023
1
2
3
[4]
5
(144 найдено)
Обозначение
Дата введения
Статус
ГОСТ 20398.2-74
Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума
30.06.1976
действует
Название англ.:
Field-effect transistors. Noise figure measurement technique
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума
Нормативные ссылки:
СТ СЭВ 3413-81,
ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.3-74
Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики
30.06.1976
действует
Название англ.:
Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
Нормативные ссылки:
СТ СЭВ 3413-81,
ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.4-74
Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости
30.06.1976
действует
Название англ.:
Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
Нормативные ссылки:
СТ СЭВ 3413-81,
ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.5-74
Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей
30.06.1976
действует
Название англ.:
Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
Нормативные ссылки:
СТ СЭВ 3413-81,
ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.6-74
Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора
30.06.1976
действует
Название англ.:
Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора
Нормативные ссылки:
СТ СЭВ 3413-81,
ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.7-74
Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки
30.06.1976
действует
Название англ.:
Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки
Нормативные ссылки:
ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.8-74
Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока
30.06.1976
действует
Название англ.:
Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока
Нормативные ссылки:
СТ СЭВ 3413-81,
ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.9-80
Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
01.01.1982
действует
Название англ.:
Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме
Нормативные ссылки:
ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.10-80
Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме
01.01.1982
действует
Название англ.:
Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме
Нормативные ссылки:
ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.11-80
Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума
01.01.1982
действует
Название англ.:
Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума
Нормативные ссылки:
IEC 60147-2G;
ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.12-80
Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
01.01.1982
действует
Название англ.:
Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА
Нормативные ссылки:
СТ СЭВ 3413-81, IEC 60147-2G;
ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.13-80
Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
01.01.1982
действует
Название англ.:
Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора
Нормативные ссылки:
СТ СЭВ 3413-81, IEC 60147-2G;
ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.14-88
Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока
01.01.1990
действует
Название англ.:
Field-effect transistors. Method of measuring output power, power gain and drain efficiency
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока в схеме генератора с независимым возбуждением
Нормативные ссылки:
ОСТ 11336.916-80,
ГОСТ 20398.0-83
ГОСТ 20859.1-89
Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
01.01.1990
действует
Название англ.:
Power semiconductor devices. General technical requirements
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
Нормативные ссылки:
ГОСТ 20859.1-79
,
ГОСТ 30617-98
в части модулей, СТ СЭВ 1135-88, IEC 60747-1(1983), IEC 60747-2(1983), IEC 60747-6(1983), IEC 60147-IJ(1981);
ГОСТ 2.601-68
,
ГОСТ 20.57.406-81
,
ГОСТ 8032-84
,
ГОСТ 15133-77
,
ГОСТ 15150-69
,
ГОСТ 15543-70
,
ГОСТ 17516-72
,
ГОСТ 18242-72
,
ГОСТ 20003-74
,
ГОСТ 20332-84
,
ГОСТ 23216-78
,
ГОСТ 23900-87
,
ГОСТ 24461-80
,
ГОСТ 24566-86
,
ГОСТ 25529-82
,
ГОСТ 27264-87
,
ГОСТ 27591-88
ГОСТ 21934-83
Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения
30.06.1984
утратил силу в РФ
Название англ.:
Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms and definitions
Область применения:
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик. Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе
Нормативные ссылки:
ГОСТ 21934-76
,
ГОСТ 22899-78
,
ГОСТ Р 59605-2021
, СТ СЭВ 2767-80, СТ СЭВ 3787-82
ГОСТ 23448-79
Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры
01.01.1981
действует
Название англ.:
Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов
Нормативные ссылки:
IEC 60191-2
ГОСТ 23900-87
Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры
30.06.1988
действует
Название англ.:
Power semiconductor devices. Overall and mounting dimensions
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы - диоды и тиристоры на токи 10 А и более
Нормативные ссылки:
ГОСТ 23900-79
, CT CЭB 1136-86, IEC 60191-2(1966), IEC 60191-2A(1969), IEC 60191-2B(1969), IEC 60191-2C(1970), IEC 60191-2D(1971), IEC 60191-2E(1974), IEC 60191-2F(1976), IEC 60191-2G(1978), IEC 60191-2H(1978), IEC 60191-2J(1980), IEC 60191-2K(1981), IEC 60191-2L(1982), IEC 60191-2M(1983)
ГОСТ 24041-80
Таситроны. Основные параметры
30.06.1981
действует
Название англ.:
Gas disharge devices. Tesitrons. Main parameters
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на таситроны и устанавливает ряды значений основных параметров и их допустимые сочетания
ГОСТ 24173-80
Тиристоры. Основные параметры
30.06.1981
действует
Название англ.:
Thyristors. Essential parameters
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые триодные запираемые, незапираемые (малой и средней мощности) и импульсные кремниевые тиристоры и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров
Нормативные ссылки:
ГОСТ 17465-72
в части разд. 23, 24, 25
ГОСТ 24352-80
Излучатели полупроводниковые. Основные параметры
01.01.1982
действует
Название англ.:
Semiconductor photoemitters. Main parameters
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров
Нормативные ссылки:
ГОСТ 17465-72
в части пп. 13, 14, 15
ГОСТ 24376-91
Инверторы полупроводниковые. Общие технические условия
01.01.1992
действует
Название англ.:
Semiconductor inverters. General specifications
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инверторы на напряжение до 1 кВ с частотой до 10000 Гц, номинальными токами на выходе до 10 кА, изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на инверторы: ведомые; летательных аппаратов; тяговые; специализированного назначения, являющиеся составными частями более сложных устройств (преобразователей частоты, блоков радиоэлектронной аппаратуры, устройств связи и др.), а также работающие во взрывоопасных средах и в средах с токопроводящей пылью
Нормативные ссылки:
ГОСТ 24376-86
,
ГОСТ 26830-86
в части полупроводниковых инверторов, IEC 60146-2(1974);
ГОСТ 2.601-68
,
ГОСТ 9.005-72
,
ГОСТ 9.032-74
,
ГОСТ 9.104-79
,
ГОСТ 9.301-86
,
ГОСТ 12.1.003-83
,
ГОСТ 12.1.004-85
,
ГОСТ 12.1.023-80
,
ГОСТ 12.1.026-80
,
ГОСТ 12.1.028-80
,
ГОСТ 12.2.007.0-75
,
ГОСТ 12.2.007.11-75
,
ГОСТ 12.2.009-80
,
ГОСТ 15.001-88
,
ГОСТ 20.39.312-85
,
ГОСТ 20.57.406-81
,
ГОСТ 27.410-87
,
ГОСТ 6697-83
,
ГОСТ 6827-76
,
ГОСТ 8865-87
,
ГОСТ 10434-82
,
ГОСТ 14254-80
,
ГОСТ 15150-69
,
ГОСТ 15543.1-89
,
ГОСТ 15963-79
,
ГОСТ 16842-82
,
ГОСТ 16962.1-89
,
ГОСТ 16962.2-90
,
ГОСТ 17412-72
,
ГОСТ 17441-84
,
ГОСТ 17516.1-90
,
ГОСТ 18620-86
,
ГОСТ 21128-83
,
ГОСТ 22352-77
,
ГОСТ 23216-78
,
ГОСТ 23511-79
,
ГОСТ 24682-81
,
ГОСТ 26118-84
,
ГОСТ 26284-84
,
ГОСТ 26567-85
,
ГОСТ 26964-86
;Нормы 8-72, Нормы 15-78
ГОСТ 24461-80
Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний
01.01.1982
действует
Название англ.:
Power semiconductor devices. Test and measurement methods
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверках
Нормативные ссылки:
СТ СЭВ 1656-79, IEC 60747-1(1983), IEC 60747-2(1983), IEC 60747-6(1983);
ГОСТ 8.207-76
,
ГОСТ 12.1.030-81
,
ГОСТ 12.2.007.0-75
,
ГОСТ 12.3.019-80
,
ГОСТ 15150-69
ГОСТ 24607-88
Преобразователи частоты полупроводниковые. Общие технические требования
01.01.1990
действует
Название англ.:
Semiconductor frequency converters. General technical requirements
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые преобразователи частоты (непосредственные и двухзвенные) с выходными токами от 0,004 до 25000 А, выходными напряжениями от 6 до 20000 В и выходными частотами от 5 до 10000 Гц и устанавливает требования к преобразователям, изготовляемым для нужд народного хозяйства и экспорта. Настоящий стандарт не распространяется на бортовые преобразователи, работающие во взрывоопасных средах, средах с токопроводящей пылью и на преобразователи, предназначенные для использования в технологических процессах с синхронно-гистерезисными двигателями
Нормативные ссылки:
ГОСТ 24607-81
,
ГОСТ 26088-84
,
ГОСТ 26830-86
в части преобразователей частоты, IEC 60146-2(1974);
ГОСТ 2.601-68
,
ГОСТ 8.002-86
,
ГОСТ 8.326-78
,
ГОСТ 8.513-84
,
ГОСТ 9.005-72
,
ГОСТ 9.032-74
,
ГОСТ 9.104-79
,
ГОСТ 9.301-86
,
ГОСТ 12.1.003-83
,
ГОСТ 12.1.004-85
,
ГОСТ 12.1.026-80
,
ГОСТ 12.1.028-80
,
ГОСТ 12.2.0007.0-75
,
ГОСТ 12.2.0007.11-75
,
ГОСТ 15.001-73
,
ГОСТ 20.39.312-85
,
ГОСТ 27.410-87
,
ГОСТ 721-77
,
ГОСТ 6697-83
,
ГОСТ 6827-76
,
ГОСТ 8865-87
,
ГОСТ 10434-82
,
ГОСТ 13109-87
,
ГОСТ 14254-80
,
ГОСТ 15150-69
,
ГОСТ 15543.1-89
,
ГОСТ 15963-79
,
ГОСТ 16842-82
,
ГОСТ 16962.1-89
,
ГОСТ 16962.2-90
,
ГОСТ 17412-72
,
ГОСТ 17441-84
,
ГОСТ 17516-72
,
ГОСТ 18620-86
,
ГОСТ 21128-83
,
ГОСТ 22352-77
,
ГОСТ 23216-78
,
ГОСТ 23366-78
,
ГОСТ 23511-79
,
ГОСТ 24555-81
,
ГОСТ 24682-81
,
ГОСТ 26118-84
,
ГОСТ 26284-84
,
ГОСТ 26567-85
ГОСТ 25529-82
Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
01.01.1984
действует
Название англ.:
Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols
Область применения:
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов
Нормативные ссылки:
ГОСТ 18216-72
,
ГОСТ 18994-73
,
ГОСТ 20004-74
,
ГОСТ 20005-74
,
ГОСТ 20331-74
,
ГОСТ 21154-75
ГОСТ 27264-87
Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений
01.01.1988
действует
Название англ.:
Power bipolar transistors. Measurement methods
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров
Нормативные ссылки:
CT CЭB 5538-86, IEC 147-2-63, IEC 147-2C-70, IEC 147-2M-80, IEC 747-1-83;
ГОСТ 12.3.019-80
,
ГОСТ 20.57.406-81
,
ГОСТ 20003-74
ГОСТ 27299-87
Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
30.06.1988
действует
Название англ.:
Semiconductor optoelectronic devices. Terms, definitions and letter symbols of parameters
Область применения:
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки. Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности
Нормативные ссылки:
ГОСТ 22274-80
,
ГОСТ 23562-79
,
ГОСТ 24403-80
,
ГОСТ 7601-78
;CT CЭB 3787-82
ГОСТ 27591-88
Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры
01.01.1989
действует
Название англ.:
Power semiconductor modules. Orerall and mounting dimensions
Область применения:
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули на средние или действующие значения токов 10 А и более, предназначенные для использования в статических преобразователях электроэнергии, а также в других силовых установках постоянного и переменного тока, и устанавливает габаритные и присоединительные размеры и конструктивные исполнения модулей
Нормативные ссылки:
СТ СЭВ 5875-87, IEC 60146(1973), IEC 60191-2М(1983), IEC 60191-2(1966)
ГОСТ 28167-89
Преобразователи переменного напряжения полупроводниковые. Общие технические требования
01.01.1991
действует
Название англ.:
Semiconductor alternating voltage converters. General specifications
Нормативные ссылки:
ГОСТ 26830-86
в части преобразователей переменного напряжения, IEC 60146(1973);
ГОСТ 2.601-68
,
ГОСТ 8.002-86
,
ГОСТ 8.326-78
,
ГОСТ 8.513-84
,
ГОСТ 9.005-72
,
ГОСТ 9.032-74
,
ГОСТ 9.048-75
,
ГОСТ 9.104-79
,
ГОСТ 9.301-86
,
ГОСТ 12.1.003-83
,
ГОСТ 15543-70
,
ГОСТ 15963-79
,
ГОСТ 16842-82
,
ГОСТ 21128-83
ГОСТ 28578-90
Приборы полупроводниковые. Механические и климатические испытания
01.01.1991
действует
Название англ.:
Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods
Область применения:
Настоящий стандарт устанавливает методы испытаний, применяемые к полупроводниковым приборам (дискретным приборам и интегральным схемам)
Нормативные ссылки:
IEC 60749(1984), ISO/R 817:1974;IEC 60068-1(1988), IEC 60068-2-21(1983), IEC 60068-2-20(1978), IEC 60068-2-6(1982), IEC 60068-2-27(1987), IEC 60068-2-7(1983), IEC 60068-2-47(1982), IEC 60747-1(1983), IEC 60748-1(1984), IEC 60068-2-14(1984), IEC 60068-2-48(1982), IEC 60068-2-13(1983), IEC 60068-2-30(1987), IEC 60068-2-3(1969), IEC 60068-2-38(1977), IEC 60068-2-17(1978), IEC 60068-2-11(1981), IEC 60695-2-2(1980), IEC 60068-2-45(1980);
ГОСТ 28198-89
,
ГОСТ 28199-89
,
ГОСТ 28200-89
,
ГОСТ 28201-89
,
ГОСТ 28202-89
,
ГОСТ 28203-89
,
ГОСТ 28204-89
,
ГОСТ 28205-89
,
ГОСТ 28206-89
,
ГОСТ 28207-89
,
ГОСТ 28208-89
,
ГОСТ 28209-89
,
ГОСТ 28210-89
,
ГОСТ 28211-89
,
ГОСТ 28212-89
,
ГОСТ 28213-89
,
ГОСТ 28214-89
,
ГОСТ 28215-89
,
ГОСТ 28216-89
,
ГОСТ 28217-89
,
ГОСТ 28218-89
,
ГОСТ 28219-89
,
ГОСТ 28220-89
,
ГОСТ 28221-89
,
ГОСТ 28222-89
,
ГОСТ 28223-89
,
ГОСТ 28224-89
,
ГОСТ 28225-89
,
ГОСТ 28226-89
,
ГОСТ 28227-89
,
ГОСТ 28228-89
,
ГОСТ 28229-89
,
ГОСТ 28230-89
,
ГОСТ 28231-89
,
ГОСТ 28232-89
,
ГОСТ 28233-89
,
ГОСТ 28234-89
,
ГОСТ 28235-89
,
ГОСТ 28236-89
ГОСТ 28623-90
Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы
01.01.1991
действует
Название англ.:
Semiconductor devices. Part 10. General specification for discrete devices and integrated circuits
Область применения:
Настоящий стандарт устанавливает общие технические условия на полупроводниковые приборы, дискретные приборы и интегральные микросхемы, включая многокристальные микросхемы, за исключением оптоэлектронных приборов и интегральных микросхем
Нормативные ссылки:
IEC 60747-10(1984), ISO 1000:1978, ISO 2015:1976, ISO 2859:1974;IEC 60068-1(1988), IEC 60068-2(1982), IEC 60147-0(1966), IEC 60147-1(1972), IEC 60147-2(1963), IEC 60147-4(1976), IEC 60147-5, IEC 60148(1969), IEC 60191-1(1966), IEC 60191-2(1966), IEC 60191-3(1974), IEC 60410(1973)
ГОСТ 28624-90
Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы
01.01.1991
действует
Название англ.:
Semiconductor devices. Part 11. Sectional specification for discrete devices
Область применения:
Настоящий стандарт распространяетя на полупроводниковые дискретные приборы, за исключением оптоэлектронных приборов
Нормативные ссылки:
IEC 60747-11(1985), IEC 60068-2-17(1978), IEC 60147-2В(1970), IEC 60147-2С(1970), IEC 60147-2М(1980), IEC 60191-2(1966), IEC 60747-1(1983), IEC 60747-2(1983), IEC 60747-6(1983), IEC 60747-8(1984), IEC 60747-10(1984), IEC 60749(1984);
ГОСТ 28210-89
,
ГОСТ 17467-88
,
ГОСТ 18472-88
,
ГОСТ 28578-90
ГОСТ 28625-90
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
01.01.1991
действует
Название англ.:
Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes
Область применения:
Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы
Нормативные ссылки:
IEC 60747-3-2(1986), IEC 60747-10(1984), IEC 60747-11(1985), IEC 60068-2-17(1978), IEC 60191-2(1966), IEC 60747-3(1985), IEC 60749(1984);
ГОСТ 28623-90
,
ГОСТ 28624-90
1
2
3
[4]
5
(144 найдено)
Все права защищены © 2015-2023. 1000gost.ru
Перейти на главную страницу сайта