| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 18604.20-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте | 01.01.1980 | действует |
Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения коэффициента шума: сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц; способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3996-83,  ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.22-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер | 01.01.1980 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring collector-emitter and base-emitter saturation voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах Нормативные ссылки: ГОСТ 13852-68, СТ СЭВ 4289-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.23-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные генераторные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих третьего М3 и пятого М5 порядков Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.24-81 Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора | 30.06.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar high-frequency. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные мощные высокочастотные линейные и высокочастотные генераторные транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением (усилителя) Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.26-85 Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров | 30.06.1986 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени нарастания, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения Нормативные ссылки: CT CЭB 4757-85, ГОСТ 18604.0-83, ГОСТ 20003-74 |
| ГОСТ 18604.27-86 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора) | 30.06.1987 | действует |
| Название англ.: Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения Нормативные ссылки: IEC 147-2C;ГОСТ 18604.0-83;CT CЭB 3994-83 |
| ГОСТ 18986.0-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 12.0.004-90, ГОСТ 12.1.004-91, ГОСТ 12.1.030-81, ГОСТ 12.2.007.0-75, ГОСТ 12.3.019-80, ГОСТ 20.57.406-81;СТ СЭВ 1622-79 |
| ГОСТ 18986.1-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Method for measuring direct reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения постоянного обратного тока. Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки Нормативные ссылки: ГОСТ 10963-64, СТ СЭВ 2769-80, IEC 60147-2B;ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.3-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Method of measuring of direct forward voltage and direct forward current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока. Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки Нормативные ссылки: ГОСТ 10961-64, СТ СЭВ 2769-80, IEC 60147-23;ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.4-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Methods for measuring capacitance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения общей емкости диода: метод емкостно-омического делителя; мостовой метод; частотный метод Нормативные ссылки: ГОСТ 10964-64, СТ СЭВ 2769-80, IEC 60147-2M;ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.5-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени выключения | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Method for measuring transition time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на импульсные диоды и умножительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения времени выключения Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74, ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 18986.6-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Method for measuring recovery charge Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды, а также на переключательные диоды диапазона СВЧ, у которых накопленный заряд может быть принят равным заряду восстановления и устанавливает метод измерения заряда восстановления Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3198-81, ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.7-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Methods for measuring life time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на импульсные, смесительные и умножительные диоды СВЧ. Стандарт устанавливает два метода измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда: для импульсных и смесительных диодов СВЧ; для импульсных диодов с накоплением заряда и умножительных диодов СВЧ Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74, ГОСТ 18986.6-73, ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Method for measuring reverse recovery time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды и устанавливает метод измерения времени обратного восстановления Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления Нормативные ссылки: ГОСТ 10965-64, ГОСТ 18986.0-74;СТ СЭВ 3198-81 |
| ГОСТ 18986.10-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности | 30.06.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Methods for measuring inductance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн. Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов: метод I - для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более; метод II - для диодов, индуктивность которых менее 2 нГн Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74, ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 18986.11-84 Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь | 30.06.1985 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Total series equivalent resistance measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на варикапы и туннельные диоды и устанавливает два метода измерения последовательного сопротивления потерь: для варикапов, предназначенных для работы в диапазоне от 0,25 до 1000 МГц; для туннельных диодов Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.11-74, СТ СЭВ 3199-81, IEC 60147-2F;ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.12-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода | 30.06.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor tunnel diodes. Method for measuring negative conductance of the intrinsic diode Область применения: Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения отрицательной проводимости Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74, ГОСТ 18986.11-74 |
| ГОСТ 18986.13-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора | 30.06.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor tunnel diodes. Methods for measuring peak point current, valley point current, peak point voltage, valley point voltage, projected peak point voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения параметров вольтамперной характеристики диода: пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.14-85 Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений | 30.06.1986 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Methods for measuring differential and slope resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает следующие методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений: метод замещения; резонансный метод с параллельным контуром; резонансный метод с последовательным контуром; мостовой метод. Стандарт не распространяется на стабилитроны Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.14-75, ГОСТ 19656.8-74, CT CЭB 2769-80, ГОСТ 20.57.406-81, ГОСТ 18986.0-74, ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 18986.15-75 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации | 01.01.1977 | действует |
| Название англ.: Reference diodes. Method of measuring stabilization voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает метод измерения напряжения стабилизации Нормативные ссылки: ГОСТ 14093-68, СТ СЭВ 3200-81, IEC 60147-2M;ГОСТ 8.401-80, ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока | 01.01.1974 | действует |
| Название англ.: Rectifier diodes. Methods of measuring average forward voltage and average reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые выпрямительные диоды малой и средней мощности, полупроводниковые выпрямительные столбы и устанавливает метод измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока Нормативные ссылки: IEC 60147-2A;ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.17-73 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации | 30.06.1974 | действует |
| Название англ.: Reference diodes. Method of measuring of temperature coefficient of working voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3200-81, IEC 60147-2M;ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.18-73 Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости | 30.06.1974 | действует |
| Название англ.: Variable capacitance diodes. Method of measuring temperature coefficient of capacitance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на варикапы, предназначенные для работы в диапазоне частот 0,25-1000 Гц, и устанавливает метод измерения температурного коэффициента емкости Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3199-81, ГОСТ 18986.0-74, ГОСТ 18986.4-73 |
| ГОСТ 18986.19-73 Варикапы. Метод измерения добротности | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Variable capacitance diodes. Method for measuring the quality factor Область применения: Настоящий стандарт распространяется на варикапы емкостью более 4 пФ в диапазоне частот 0,25-1000 МГц и устанавливает два метода измерения добротности варикапов Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74;СТ СЭВ 3199-81 |
| ГОСТ 18986.20-77 Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим | 01.01.1979 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Reference zener diodes. Method for measuring warm up time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые прецизионные стабилитроны, имеющие нормированную временную нестабильность напряжения стабилизации и устанавливает метод измерения времени выхода стабилитронов на режим tвых. и требования безопасности Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.21-78 Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации | 01.01.1980 | действует |
| Название англ.: Reference diodes and stabistors. Method for measuring time drift of working voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и стабисторы и устанавливает метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.22-78 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления | 01.01.1980 | действует |
| Название англ.: Reference diodes. Methods for measuring differential resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает два метода измерения дифференциального сопротивления: на переменном токе; на постоянном токе Нормативные ссылки: ГОСТ 15603-70, СТ СЭВ 3200-81, IEC 60147-2M;ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.23-80 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Zener diodes. Methods for measuring spectral noise density Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает два метода измерения спектральной плотности шума: метод 1 применяют при измерении спектральной плотности шума стабилитронов с установленной полосой частот измерения в диапазоне 5 Гц - 30 МГц; метод 2 применяют при измерении спектральной плотности шума прецизионных стабилитронов с установленной полосой частот измерения в диапазоне 0,01-5 Гц Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.24-83 Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения | 30.06.1984 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Measurement method of breakdown voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения пробивного напряжения Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Field effect transistors. Terms, definitions and parameter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов Нормативные ссылки: СТ СЭВ 2771-80 |
| ГОСТ 19138.0-85 Тиристоры. Общие требования к методам измерения параметров | 01.01.1987 | действует |
| Название англ.: Thyristors. General requirements for methods of measuring parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на тиристоры и устанавливает общие требования к методам измерения параметров. Стандарт не распространяется на силовые тиристоры Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.0-74, CT CЭB 1622-79, ГОСТ 12.1.030-81, ГОСТ 12.2.007.0-75, ГОСТ 12.2.091-83, ГОСТ 12.3.119-80, ГОСТ 20.57.406-81 |
- иконка документа;
- загрузка документа.
- развернуть список;
- свернуть список.
- действующий;
- принят (но не вступивший в силу), действует только в РФ, с неизвестным статусом;
- заменён, отменён, утратил силу в РФ, срок действия истёк.