Обозначение | Дата введения | Статус |
ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | 01.01.1979 | действует |
Название англ.: Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.14-85, ГОСТ 19656.0-74, ГОСТ 19656.5-74, ГОСТ 19656.7-74 |
ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты | 01.01.1981 | действует |
Название англ.: Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74, ГОСТ 18986.4-73, ГОСТ 19656.0-74, ГОСТ 19656.11-75 |
ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74 |
ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | 30.06.1987 | действует |
Название англ.: Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74, ГОСТ 23769-79 |
ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 30.06.1981 | действует |
Название англ.: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 9411-91, ГОСТ 17616-82, ГОСТ 19834.0-75 |
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действует |
Название англ.: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75 |
ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor microwave diodes. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды Нормативные ссылки: ГОСТ 20215-74, ГОСТ 8.051-81, ГОСТ 9.076-77, ГОСТ 20.57.406-81, ГОСТ 14192-77, ГОСТ 15150-69, ГОСТ 17465-80, ГОСТ 18472-82, ГОСТ 19656.0-74, ГОСТ 19656.1-74, ГОСТ 19656.2-74, ГОСТ 19656.3-74, ГОСТ 19656.4-74, ГОСТ 19656.5-74, ГОСТ 19656.6-74, ГОСТ 19656.7-74, ГОСТ 19656.9-79, ГОСТ 19656.10-75, ГОСТ 19656.11-75, ГОСТ 19656.12-76, ГОСТ 19656.13-76, ГОСТ 19656.14-79, ГОСТ 21493-76, ГОСТ 23088-80, ГОСТ 23135-78, ГОСТ 24385-80, ГОСТ 25359-82, ГОСТ 25360-82, ГОСТ 25467-82, ГОСТ 25486-82 |
ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | 01.01.1981 | действует |
Название англ.: Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов Нормативные ссылки: IEC 60191-2 |
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.01.1984 | действует |
Название англ.: Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов Нормативные ссылки: ГОСТ 18216-72, ГОСТ 18994-73, ГОСТ 20004-74, ГОСТ 20005-74, ГОСТ 20331-74, ГОСТ 21154-75 |
ГОСТ 28625-90 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией | 01.01.1991 | действует |
Название англ.: Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes Область применения: Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы Нормативные ссылки: IEC 60747-3-2(1986), IEC 60747-10(1984), IEC 60747-11(1985), IEC 60068-2-17(1978), IEC 60191-2(1966), IEC 60747-3(1985), IEC 60749(1984);ГОСТ 28623-90, ГОСТ 28624-90 |
ГОСТ 29209-91 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 2. Выпрямительные диоды | 30.06.1992 | действует |
Название англ.: Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 2. Rectifire diodes Область применения: Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на выпрямительные диоды, в том числе подлежащие сертификации. В стандарте приводятся требования для приборов следующих классов: выпрямительные диоды, включая: лавинные выпрямительные диоды, выпрямительные диоды с управляемым лавинным пробоем, выпрямительные диоды с быстрым переключением Нормативные ссылки: IEC 60747-2(1983), IEC 60747-1(1983) |
ГОСТ 29210-91 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения | 30.06.1992 | действует |
Название англ.: Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes Область применения: Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на сигнальные диоды, в том числе подлежащие сертификации Нормативные ссылки: IEC 60747-3(1985), IEC 60747-1(1983) |
ГОСТ Р 54815-2011 Лампы светодиодные со встроенным устройством управления для общего освещения на напряжения свыше 50 В. Эксплуатационные требования | 01.07.2012 | отменён |
Название англ.: Self-ballasted LED-lamps for general lighting services by voltage over 50 V. Operating requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на светодиодные лампы со встроенным устройством управления на напряжения до 250 В, предназначенные для бытового и аналогичного общего освещения, имеющие: - номинальную мощность до 60 Вт включительно; - номинальное постоянное или переменное напряжение до 250 В включительно; - цоколи в соответствии с МЭК 62560,и устанавливает эксплуатационные требования, а также методы и условия испытаний. Испытания по настоящему стандарту относятся к типовым. Настоящий стандарт не распространяется на светодиодные лампы со встроенным устройством управления с окрашенным или цветным стеклом и на лампы с органическими светодиодами Нормативные ссылки: IEC/PAS 62612(2009), ГОСТ IEC 62612-2019, IEC 60061-1, IEC 60081(1997), IEC 60598-1, IEC 60630, IEC/TR 61341(2010);CIE 84:1989 |