Название англ.: Power semiconductor devices. General technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-79, ГОСТ 30617-98 в части модулей, СТ СЭВ 1135-88, IEC 60747-1(1983), IEC 60747-2(1983), IEC 60747-6(1983), IEC 60147-IJ(1981);ГОСТ 2.601-68, ГОСТ 20.57.406-81, ГОСТ 8032-84, ГОСТ 15133-77, ГОСТ 15150-69, ГОСТ 15543-70, ГОСТ 17516-72, ГОСТ 18242-72, ГОСТ 20003-74, ГОСТ 20332-84, ГОСТ 23216-78, ГОСТ 23900-87, ГОСТ 24461-80, ГОСТ 24566-86, ГОСТ 25529-82, ГОСТ 27264-87, ГОСТ 27591-88 |